| 型号：IXTP1R6N100D2 | 类别：FET - 单 | 制造商：IXYS |
| 封装：TO-220-3 | 描述：MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB |
| 系列 | - |
| 制造商 | IXYS |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 1000V（1kV） |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 1.6A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 10 欧姆 @ 800mA，0V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | - |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 27nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 645pF @ 25V |
| 功率_最大 | 100W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 包装 | 管件 |
供应商
| 昆山隆诚翔电子有限公司 | 曾小姐0512-82613006 |
| 深圳市正信鑫科技有限公司 | 小邹0755-22655674/15099917285 |
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